STMicroelectronics IGBT / 60 A 20V max. , 650 V 260 W H2PAK-2

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RS Best.-Nr.:
248-4893
Herst. Teile-Nr.:
STGH30H65DFB-2AG
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

60 A

Kollektor-Emitter-Spannung

650 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Anzahl an Transistoren

1

Verlustleistung max.

260 W

Gehäusegröße

H2PAK-2

Konfiguration

Single

Das STMicroelectronics-Produkt ist ein IGBT, das mit einer fortschrittlichen proprietären Trench Gate Field Stop-Struktur entwickelt wurde. Das Gerät ist Teil der neuen HB-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitung und Schaltverlust darstellt, um den Wirkungsgrad eines beliebigen Frequenzwandlers zu maximieren. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.

AEC-Q101-qualifiziert
Hochgeschwindigkeits-Schaltreihe
Sicherere Parallelität
Enge Parameterverteilung
Geringer Wärmewiderstand
Weiche und sehr schnelle Antiparalleldiode

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