onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BR (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)

RS Best.-Nr.:: 245-6989
Herst. Teile-Nr.:: NXH450B100H4Q2F2SG
Hersteller:: onsemi

onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BR (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)

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Herst. Teile-Nr.:: NXH450B100H4Q2F2SG
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Datasheet - NXH450B100H4Q2F2SG

Eigenschaft	Wert
Dauer-Kollektorstrom max.	101 A
Kollektor-Emitter-Spannung	1000 V
Gate-Source Spannung max.	±20V
Verlustleistung max.	79 W
Anzahl an Transistoren	2
Gehäusegröße	Q2BOOST - Gehäuse 180BR (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)

onsemi IGBT-Modul / 101 A ±20V max. Dual, 1000 V 79 W Q2BOOST - Gehäuse 180BR (bleifreie und halogenfreie Lötstifte)

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