Infineon IGBT-Modul / 150 A, 1200 V 750 W
- RS Best.-Nr.:
- 244-5407
- Herst. Teile-Nr.:
- FS150R12KT4B11BOSA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Schale mit 10 Stück)*
€ 828,90
(ohne MwSt.)
€ 994,70
(inkl. MwSt.)
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal
Stück | Pro Stück | Pro Schale* |
|---|---|---|
| 10 + | € 82,89 | € 828,90 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 244-5407
- Herst. Teile-Nr.:
- FS150R12KT4B11BOSA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 150A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 750W | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.1V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | FS | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 150A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 750W | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.1V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie FS | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon IGBT-Modul hat einen maximalen Nennwert von wiederholtem Peak Kollektor-Strom von 300 A und eine Kollektor-Emitter-Sättigungsvoltag von 2,10 V, Gate-Schwellenspannung von 6,4 V.
Kollektor-Emitter-Abschaltstrom 1,0 mA
Temperatur unter Schaltbedingungen 150 °C.
Gate-Emitter-Leckstrom 100 nA
Umgekehrte Übertragungskapazität NF
Verwandte Links
- Infineon IGBT-Modul / 150 A, 1200 V 750 W
- Infineon IGBT-Modul / 150 A 35-Pin EconoPACK 3 Typ N-Kanal Klemme
- Infineon IGBT-Modul / 150 A, 1200 V 79 W AG-34MM-1 Typ N-Kanal Klemme
- Infineon IGBT-Modul / 150 A ±20V max. , 1200 V 790 W
- STMicroelectronics IGBT / 150 A 3-Pin Max247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- Infineon IGBT / 150 A 43-Pin Modul Typ N-Kanal Fahrgestell
- Mitsubishi Electric IGBT-Modul / 150 A, 1200 V 850 W Modul Typ N-Kanal Leiterplattenmontage
- Semikron Danfoss IGBT-Modul / 150 A 70-Pin SEMITOP4 Typ N-Kanal Oberfläche