STMicroelectronics IGBT / 150 A, 1200 V 750 W, 3-Pin Max247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
234-8894
Herst. Teile-Nr.:
STGYA75H120DF2
Hersteller:
STMicroelectronics
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Marke

STMicroelectronics

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

150A

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

750W

Gehäusegröße

Max247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.6V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

No

Automobilstandard

Nein

Der IGBT von STMicroelectronics wurde mit einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Feldanschlagstruktur entwickelt. Dieses Gerät ist Teil der H-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad von Hochschaltfrequenzwandlern zu maximieren. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.

Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175°C

5 μs Kurzschlussfestigkeit

VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 75 A

Enge Parameterverteilung

Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient

Niedriger Wärmewiderstand

Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung

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