STMicroelectronics IGBT / 150 A ±20V max., 1200 V 750 W, 3-Pin Max. 247

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 7,91

(ohne MwSt.)

€ 9,49

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • Zusätzlich 460 Einheit(en) mit Versand ab 26. Jänner 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
1 - 4€ 7,91
5 - 9€ 7,51
10 - 24€ 6,76
25 - 49€ 6,31
50 +€ 6,16

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
234-8894
Herst. Teile-Nr.:
STGYA75H120DF2
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Dauer-Kollektorstrom max.

150 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Verlustleistung max.

750 W

Gehäusegröße

Max. 247

Montage-Typ

THT

Pinanzahl

3

Der IGBT von STMicroelectronics wurde mit einer fortschrittlichen proprietären Trench-Gate-Feldanschlagstruktur entwickelt. Dieses Gerät ist Teil der H-Serie von IGBTs, die einen optimalen Kompromiss zwischen Leitungs- und Schaltverlusten darstellen, um den Wirkungsgrad von Hochschaltfrequenzwandlern zu maximieren. Darüber hinaus führen ein leicht positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient und eine sehr enge Parameterverteilung zu einem sicheren Parallelbetrieb.

Maximale Sperrschichttemperatur TJ = 175°C
5 μs Kurzschlussfestigkeit
VCE(sat) = 2,1 V (typ.) @ IC = 75 A
Enge Parameterverteilung
Positiver VCE(sat)-Temperaturkoeffizient
Niedriger Wärmewiderstand
Antiparallele Diode mit sehr schneller Erholung

Verwandte Links