Infineon IGBT-Modul / 825 A Einfach, 3300 V 2400 kW AG-IHVB130
- RS Best.-Nr.:
- 236-5199
- Herst. Teile-Nr.:
- FZ825R33HE4DBPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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- FZ825R33HE4DBPSA1
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 825A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 3300V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 2400kW | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Gehäusegröße | AG-IHVB130 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 2.65V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | 60749, 60068, IEC 60747 | |
| Breite | 62 mm | |
| Höhe | 16.4mm | |
| Länge | 109.9mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 825A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 3300V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 2400kW | ||
Konfiguration Einfach | ||
Gehäusegröße AG-IHVB130 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 2.65V | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen 60749, 60068, IEC 60747 | ||
Breite 62 mm | ||
Höhe 16.4mm | ||
Länge 109.9mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon-IGBT-Modul mit Einfachschalter verfügt über Trenchstop ® IGBT4 und eine Emitter-gesteuerte 4-Diode. Dieses Modul verfügt über eine hohe Leistungsdichte und eine AlSiC-Grundplatte für erhöhte thermische Schaltleistung.
VCES beträgt 3300 V.
IC-Nom ist 825 A
ICRM ist 1650 A.
Es behält eine hohe Stromdichte bei
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