Infineon IGBT-Modul / 1800 A Einfach, 4500 V 4000 kW AG-IHVB190 Typ N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 236-5195
- Herst. Teile-Nr.:
- FZ1800R45HL4BPSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 1800A | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 4500V | |
| Anzahl an Transistoren | 3 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 4000kW | |
| Konfiguration | Einfach | |
| Gehäusegröße | AG-IHVB190 | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 3.5V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | IEC 60747, 60749 and 60068 | |
| Höhe | 38.5mm | |
| Länge | 190mm | |
| Breite | 140 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 1800A | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 4500V | ||
Anzahl an Transistoren 3 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 4000kW | ||
Konfiguration Einfach | ||
Gehäusegröße AG-IHVB190 | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 3.5V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen IEC 60747, 60749 and 60068 | ||
Höhe 38.5mm | ||
Länge 190mm | ||
Breite 140 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Infineon IGBT-Modul, 1,8 kA maximaler Kollektor-Dauerstrom, 4500 V maximale Kollektor-Emitter-Spannung - FZ1800R45HL4BPSA1
Dieses IGBT-Modul ist für Hochleistungsanwendungen im Bereich der Leistungselektronik konzipiert. Er zeichnet sich durch einen maximalen Kollektor-Dauerstrom von 1,8 kA und eine Kollektor-Emitter-Spannung von bis zu 4500 V aus und ist damit für anspruchsvolle Umgebungen geeignet. Die Abmessungen dieses kompakten Moduls betragen 190 x 140 x 38,5 mm und ermöglichen eine flexible Integration in verschiedene Systeme.
Eigenschaften und Vorteile
• Hohe DC-Stabilität gewährleistet gleichbleibende Leistung unter schwierigen Bedingungen
• Emittergesteuerte 4-Diode verbessert die Kurzschlussstromfestigkeit
• Niedrige Sättigungsspannung zwischen Kollektor und Emitter verbessert die Energieeffizienz
• Hohe dynamische Robustheit für zuverlässigen Betrieb
• Verbesserte Gate-Kapazität optimiert die Schaltleistung
Anwendungen
• Einsatz für Hochleistungsumrichter in industriellen Umgebungen
• Ideal für Mittelspannungsumrichteranlagen
• Geeignet für Stromübertragungs- und -verteilungsnetze
Welche Bedeutung hat die Nennspannung zwischen Kollektor und Emitter?
Die Kollektor-Emitter-Spannung von 4500 V stellt sicher, dass das Modul auch in Hochspannungsanwendungen effektiv arbeiten kann, was einen frühzeitigen Ausfall verhindert und eine zuverlässige Leistung gewährleistet.
Wie verbessert das Modul die Energieeffizienz von Stromsystemen?
Eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung trägt zur Verringerung der Energieverluste beim Schalten bei und ist damit ideal für Anwendungen, die eine hohe Energieeffizienz erfordern.
Welche Art von Wärmemanagementlösungen sind darin enthalten?
Das Modul verfügt über eine AlSiC-Grundplatte für eine verbesserte Temperaturwechselfähigkeit, so dass es auch unter schwankenden Temperaturbedingungen effizient arbeitet.
Welchen Nutzen hat die dynamische Robustheit dieses Moduls für die industrielle Automatisierung?
Seine hohe dynamische Robustheit ermöglicht einen zuverlässigen Betrieb unter wechselnden Lastbedingungen und steigert so die Gesamtstabilität und Effizienz industrieller Automatisierungsprozesse.
Kann dieses Modul Kurzschlussbedingungen effektiv handhaben?
Ja, das Design umfasst emittergesteuerte Dioden, die eine ausgezeichnete Kurzschlussfähigkeit bieten, so dass es transiente Bedingungen ohne Schaden überstehen kann.
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