Infineon IGBT / 900 A, 1200 V 20 mW, 11-Pin AG-ECONOD Typ N-Kanal Oberfläche
- RS Best.-Nr.:
- 222-4798
- Herst. Teile-Nr.:
- FF900R12ME7B11BOSA1
- Hersteller:
- Infineon
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 900A | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 20mW | |
| Gehäusegröße | AG-ECONOD | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 11 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.8V | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Serie | FF900R12ME7_B11 | |
| Höhe | 20.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 152mm | |
| Breite | 62.5 mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 900A | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Maximale Verlustleistung Pd 20mW | ||
Gehäusegröße AG-ECONOD | ||
Montageart Oberfläche | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 11 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.8V | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Serie FF900R12ME7_B11 | ||
Höhe 20.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 152mm | ||
Breite 62.5 mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
Das Infineon EconoDUAL TM 3 1200 V, 900 A zweifache Trenchstop ® IGBT7-Modul mit Emitter-gesteuerter 7-Diode, NTC und Pressfit-Kontakttechnologie. Auch erhältlich mit voraufgetragenen thermischen Schnittstellenmaterialien.
Höchste Leistungsdichte
Best-in-Class-VCE-Sat
TVJ op = 175 °C Überlast
Verbesserte Anschlussklemmen
Optimierte Kriechstrecke für 1500-V-PV-Anwendungen
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