onsemi IGBT / 5 A 16.5V max. 6-fach, 1200 V, 39-Pin DIP N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 221-6683
- Herst. Teile-Nr.:
- NFAM0512L5BT
- Hersteller:
- onsemi
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- Herst. Teile-Nr.:
- NFAM0512L5BT
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 5 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | 16.5V | |
| Anzahl an Transistoren | 6 | |
| Gehäusegröße | DIP | |
| Konfiguration | Dreiphasenbrücke | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 39 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 5 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. 16.5V | ||
Anzahl an Transistoren 6 | ||
Gehäusegröße DIP | ||
Konfiguration Dreiphasenbrücke | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 39 | ||
Das on Semiconductor NFAM0512L5BT ist ein vollständig integriertes Wechselrichter-Leistungsmodul bestehend aus einem unabhängigen High-Side-Gate-Treiber, LVIC, sechs IGBT und einem Temperatursensor (VTS und NTC Thermistor), geeignet für die Ansteuerung von permanentmagnetsynchronem (PMSM) Motor, bürstenlosen DC (BLDC) Motoren und AC-Asynchronmotor.
Active Logic-Schnittstelle
Integrierter Unterspannungsschutz
Integrierte Bootstrap-Dioden und Widerstände
Separate Low-Side-IGBT-Emitteranschlüsse für individuelle Stromerfassung jeder Phase
Integrierter Unterspannungsschutz
Integrierte Bootstrap-Dioden und Widerstände
Separate Low-Side-IGBT-Emitteranschlüsse für individuelle Stromerfassung jeder Phase
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