STMicroelectronics IGBT / 40 A, 650 V, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 202-5517
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA40H65DFB2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Derzeit nicht erhältlich
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- RS Best.-Nr.:
- 202-5517
- Herst. Teile-Nr.:
- STGWA40H65DFB2
- Hersteller:
- STMicroelectronics
Technische Daten des gezeigten Artikels
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Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | STMicroelectronics | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 40A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke STMicroelectronics | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 40A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Das Hochgeschwindigkeits-IGBT der HB2-Serie von STMicroelectronics ist eine Weiterentwicklung der Advanced proprietären Trunk Gate Field-Stop-Struktur. Die Leistung der HB2-Serie ist dank eines besseren VCE(sat)-Verhaltens bei niedrigen Stromwerten und einer geringeren Schaltenergie optimiert.
Enge Parameterverteilung
Niedriger Wärmewiderstand
Positiver Temperaturkoeffizient VCE(sat)
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