Vishay IGBT 20.8 W, 3-Pin TO-252 Typ P-Kanal Oberfläche

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RS Best.-Nr.:
180-8117
Herst. Teile-Nr.:
SUD08P06-155L-GE3
Hersteller:
Vishay
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Marke

Vishay

Produkt Typ

IGBT

Maximale Verlustleistung Pd

20.8W

Gehäusegröße

TO-252

Montageart

Oberfläche

Kabelkanaltyp

Typ P

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

RoHS-compliant

Höhe

2.38mm

Länge

6.22mm

Automobilstandard

Nein

Vishay MOSFET


The Vishay MOSFET is a P-channel, TO-252-3 package is a new age product with a drain-source voltage of 60V and maximum gate-source voltage of 20V. It has a drain-source resistance of 52mohm at a gate-source voltage of 10V. The MOSFET has a maximum power dissipation of 20.8W. It can be used in load switches for portable devices. This product has been optimized for lower switching and conduction losses. The MOSFET offers excellent efficiency along with a long and productive life without compromising performance or functionality.

Features and Benefits


• Halogen and lead (Pb) free component

• Operating temperature ranges between -55°C and 150°C

• TrenchFET power MOSFET

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