Vishay IGBT 379 W, 3-Pin TO-247AC Typ N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 180-7913
- Herst. Teile-Nr.:
- SIHG47N60EF-GE3
- Hersteller:
- Vishay
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Vishay | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 379W | |
| Gehäusegröße | TO-247AC | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 30 V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | EF | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 15.87 mm | |
| Länge | 16.25mm | |
| Energie | 1500mJ | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Vishay | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximale Verlustleistung Pd 379W | ||
Gehäusegröße TO-247AC | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 30 V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie EF | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 15.87 mm | ||
Länge 16.25mm | ||
Energie 1500mJ | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
The Vishay SIHG47N60EF is a N-channel EF series power MOSFET with fast body diode having drain to source voltage(Vds) of 600V and gate to source voltage (VGS) 30V. It is having TO-247AC package. It is offers drain to source resistance (RDS.) of 0.065ohms at 10VGS. Maximum drain current 47A.
Fast body diode MOSFET using E series technology
Reduced trr, Qrr, and IRRM
Low figure of merit (FOM) Ron x Qg
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