STMicroelectronics IGBT / 60 A, 600 V 200 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

€ 149,76

(ohne MwSt.)

€ 179,70

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 330 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.

Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 - 60€ 4,992€ 149,76
90 - 480€ 3,994€ 119,82
510 - 960€ 3,554€ 106,62
990 +€ 3,00€ 90,00

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-8881
Herst. Teile-Nr.:
STGW30NC60KD
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

60A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

200W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

29ns

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

2.7V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC Standard JESD97

Höhe

20.15mm

Serie

Rugged

Automobilstandard

Nein

Energie

1435mJ

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links