Toshiba IGBT / 15 A, 600 V, 3-Pin TO-220SIS Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen
Derzeit nicht erhältlich
Wir wissen nicht, ob wir diesen Artikel noch einmal auf Lager haben werden. RS beabsichtigt, ihn bald aus dem Sortiment zu nehmen.
RS Best.-Nr.:
168-7763
Herst. Teile-Nr.:
GT15J341
Hersteller:
Toshiba
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Toshiba

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

15A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Gehäusegröße

TO-220SIS

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

25 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Ursprungsland:
JP

IGBTs, diskret, Toshiba


IGBT, diskrete Bauteile und Module, Toshiba


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links