STMicroelectronics IGBT / 7 A, 600 V 25 W, 3-Pin TO-220FP Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Stange mit 50 Stück)*

€ 62,65

(ohne MwSt.)

€ 75,20

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Auf Lager
  • 250 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
50 - 50€ 1,253€ 62,65
100 - 200€ 1,21€ 60,50
250 - 450€ 1,18€ 59,00
500 +€ 1,15€ 57,50

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
168-6466
Herst. Teile-Nr.:
STGF7NB60SL
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

7A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

25W

Gehäusegröße

TO-220FP

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

1MHz

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.6V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Länge

10.4mm

Normen/Zulassungen

RoHS

Höhe

16.4mm

Serie

Powermesh

Breite

4.6 mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
MY

IGBT, diskret, STMicroelectronics


IGBT, diskrete Bauteile und Module, STMicroelectronics


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links