IXYS Hochgeschwindigkeits-IGBT / 30 A, 1200 V 500 W, 3-Pin TO-247 Typ N-Kanal Durchsteckmontage

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Stange mit 30 Stück)*

€ 178,77

(ohne MwSt.)

€ 214,53

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Die Versandkosten für Bestellungen unter € 100,00 (ohne MwSt.) betragen € 8,95.
Vorübergehend ausverkauft
  • Versand ab 05. Februar 2027
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück
Pro Stück
Pro Stange*
30 +€ 5,959€ 178,77

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
146-1766
Herst. Teile-Nr.:
IXYH30N120C3
Hersteller:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

30A

Produkt Typ

Hochgeschwindigkeits-IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Maximale Verlustleistung Pd

500W

Gehäusegröße

TO-247

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Schaltgeschwindigkeit

50kHz

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

3.7V

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Länge

20.32mm

Breite

16.26 mm

Serie

1200V XPT GenX3

Normen/Zulassungen

International Standard Packages

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
US

IGBTs, diskret, Serie IXYS XPT


Die diskreten IGBTs der XPT™-Serie von IXYS zeichnen sich durch die Dünnwafer-Technologie Extreme-light Punch-Through aus, mit welcher der Wärmewiderstand und Energieverluste verringert werden können. Die Geräte sorgen für kurze Schaltzeiten bei geringem Tailstrom und sind in mehreren Gehäusen in proprietärer Ausführung erhältlich, die Industriestandards entsprechen.

Hohe Leistungsdichte und niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung

Quadratische, sichere Betriebsbereiche für Sperrvorspannung (RBSOA) bis zu ausgelegter Durchschlagsspannung

10 μs lange Kurzschlussauslösung

Positiver Temperaturkoeffizient der Durchlassspannung

Individuell verpackte (optional) Sonic-FRD™- oder HiPerFRED™-Dioden

Hochspannungsgehäuse in proprietärer Ausführung gemäß internationaler Normen

IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links

Recently viewed