IXYS XPT-IGBT-Modul / 450 A, 1200 V 2100 W, 11-Pin SimBus F Typ N-Kanal Leiterplattenmontage

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Box mit 3 Stück)*

€ 360,69

(ohne MwSt.)

€ 432,84

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 39 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
Pro Box*
3 +€ 120,23€ 360,69

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
146-1703
Herst. Teile-Nr.:
MIXA450PF1200TSF
Hersteller:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

450A

Produkt Typ

XPT-IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1200V

Anzahl an Transistoren

2

Maximale Verlustleistung Pd

2100W

Gehäusegröße

SimBus F

Montageart

Leiterplattenmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

11

Schaltgeschwindigkeit

85ns

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.8V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Breite

62 mm

Länge

152mm

Serie

MIXA450PF1200TSF

Normen/Zulassungen

IEC 60747, RoHS

Höhe

17mm

Automobilstandard

Nein

Ursprungsland:
DE

IGBT-Module IXYS


IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links