IXYS IGBT-Modul / 650 A ±30V max., 1200 V 2,1 kW, 11-Pin SimBus F N-Kanal

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RS Best.-Nr.:
124-0712
Herst. Teile-Nr.:
MIXA450PF1200TSF
Hersteller:
IXYS
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Marke

IXYS

Dauer-Kollektorstrom max.

650 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±30V

Verlustleistung max.

2,1 kW

Konfiguration

Dual

Gehäusegröße

SimBus F

Montage-Typ

PCB-Montage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

11

Transistor-Konfiguration

Serie

Abmessungen

152 x 62 x 17mm

Betriebstemperatur min.

–40 °C

Betriebstemperatur max.

+150 °C

IGBT-Module IXYS



IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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