IXYS IGBT-Modul / 650 A ±30V max., 1200 V 2,1 kW, 11-Pin SimBus F N-Kanal

Alle IGBT anzeigen

Zwischensumme (1 Stück)*

€ 176,76

(ohne MwSt.)

€ 212,11

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Nur noch Restbestände
  • Letzte 41 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Stück
Pro Stück
1 +€ 176,76

*Richtpreis

RS Best.-Nr.:
124-0712
Herst. Teile-Nr.:
MIXA450PF1200TSF
Hersteller:
IXYS
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

IXYS

Dauer-Kollektorstrom max.

650 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±30V

Verlustleistung max.

2,1 kW

Gehäusegröße

SimBus F

Konfiguration

Dual

Montage-Typ

PCB-Montage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

11

Transistor-Konfiguration

Serie

Abmessungen

152 x 62 x 17mm

Betriebstemperatur max.

+150 °C

Betriebstemperatur min.

–40 °C

IGBT-Module IXYS



IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Verwandte Links