Semikron Danfoss IGBT-Modul / 422 A 20V max. Dual, 1200 V, 7-Pin SEMITRANS3 N-Kanal

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RS Stock No.:
125-1113
Mfr. Part No.:
SKM300GB12E4
Brand:
Semikron Danfoss
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Marke

Semikron Danfoss

Dauer-Kollektorstrom max.

422 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

20V

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

SEMITRANS3

Konfiguration

Dual

Montage-Typ

Schraubmontage

Channel-Typ

N

Pinanzahl

7

Schaltgeschwindigkeit

12kHz

Transistor-Konfiguration

Halbbrücke

Abmessungen

106.4 x 61.4 x 30.5mm

Betriebstemperatur max.

+175 °C

Betriebstemperatur min.

–40 °C

COO (Country of Origin):
SK

Duale IGBT-Module


Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet.

Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung


IGBT-Module, Semikron


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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