Semikron Danfoss IGBT-Modul / 195 A, 600 V, 7-Pin SEMITRANS Typ N-Kanal Panel
- RS Best.-Nr.:
- 505-3138
- Herst. Teile-Nr.:
- SKM145GB066D
- Hersteller:
- Semikron Danfoss
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Semikron Danfoss | |
| Produkt Typ | IGBT-Modul | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 195A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 600V | |
| Anzahl an Transistoren | 2 | |
| Gehäusegröße | SEMITRANS | |
| Montageart | Panel | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 7 | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Betriebstemperatur min. | 175°C | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | 20 V | |
| Maximale Betriebstemperatur | -40°C | |
| Höhe | 29.5mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 94mm | |
| Serie | SKM145GB066D | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Semikron Danfoss | ||
Produkt Typ IGBT-Modul | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 195A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 600V | ||
Anzahl an Transistoren 2 | ||
Gehäusegröße SEMITRANS | ||
Montageart Panel | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 7 | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Betriebstemperatur min. 175°C | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO 20 V | ||
Maximale Betriebstemperatur -40°C | ||
Höhe 29.5mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 94mm | ||
Serie SKM145GB066D | ||
Automobilstandard Nein | ||
Duale IGBT-Module
Eine Serie von SEMITOP® IGBT-Modulen von Semikron einschließlich zwei in Reihe geschalteten IGBT-Geräten (Halbbrücke). Die Module sind in einem großen Spannungs- und Strombereich erhältlich und für eine Vielzahl von Leistungsschaltanwendungen wie AC-Wechselrichter-Motorantriebe und unterbrechungsfreie Stromversorgungen geeignet.
Kompaktes SEMITOP®-Gehäuse
Für Schaltfrequenzen bis zu 12 kHz geeignet
Isolierte Kupfergrundplatte mit direkter Kupferverbindung
IGBT-Module, Semikron
Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.
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