onsemi IGBT / 120 A, 600 V 600 W, 3-Pin TO-247AB Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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RS Best.-Nr.:
124-1320
Herst. Teile-Nr.:
FGH60N60SMD
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

IGBT

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

120A

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

600V

Maximale Verlustleistung Pd

600W

Gehäusegröße

TO-247AB

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.9V

Betriebstemperatur min.

-55°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Normen/Zulassungen

RoHS Compliant

Serie

Field Stop 2nd generation

Automobilstandard

Nein

Diskrete IGBTs, Fairchild Semiconductor


IGBT diskret und Module, Fairchild Semiconductor


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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