IXYS IGBT-Modul / 360 A, 1.2 kV 1100 W, 11-Pin SimBus F N-Kanal Leiterplattenmontage

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RS Best.-Nr.:
124-0710
Herst. Teile-Nr.:
MIXA225PF1200TSF
Hersteller:
IXYS
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Marke

IXYS

Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic

360A

Produkt Typ

IGBT-Modul

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

1.2kV

Maximale Verlustleistung Pd

1100W

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

SimBus F

Montageart

Leiterplattenmontage

Kabelkanaltyp

N

Pinanzahl

11

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.8V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±30 V

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

No

Breite

62mm

Länge

152mm

Höhe

17mm

Serie

MIXA225PF1200TSF

Automobilstandard

Nein

IGBT-Module IXYS


IGBTs, diskret, und IGBT-Module, IXYS


Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

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