Microchip Diskreter IGBT / 69 A, 1200 V 417 W, 3-Pin TO-247 N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 838-597
- Herst. Teile-Nr.:
- APT25GP120BSC15
- Hersteller:
- Microchip
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 69A | |
| Produkt Typ | Diskreter IGBT | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 1200V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 417W | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Gehäusegröße | TO-247 | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | N-Kanal | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Breite | 16.26mm | |
| Normen/Zulassungen | JEDC | |
| Höhe | 5.31mm | |
| Länge | 41.78mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 69A | ||
Produkt Typ Diskreter IGBT | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 1200V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 417W | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Gehäusegröße TO-247 | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp N-Kanal | ||
Pinanzahl 3 | ||
Breite 16.26mm | ||
Normen/Zulassungen JEDC | ||
Höhe 5.31mm | ||
Länge 41.78mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- PH
Der Punch-Through-IGBT von Microchip integriert einen leistungsstarken 1200 V 25 A Power MOS 7-Transistor mit einer antiparallelen Schottky-Diode aus Siliziumkarbid.
Maximale Kollektor-Emitter-Nennspannung 1200 V
Fortschrittliche Power MOS 7-Durchschlagstechnologie
Integrierte antiparallele SiC-Schottky-Diode
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