Infineon IGBT, 650 V 498 W, 3-Pin PG-TO-247-3-PLUS-N Typ N-Kanal Durchsteckmontage

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-989
Herst. Teile-Nr.:
IKQ120N65EH7XKSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Produkt Typ

IGBT

Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo

650V

Maximale Verlustleistung Pd

498W

Gehäusegröße

PG-TO-247-3-PLUS-N

Montageart

Durchsteckmontage

Kabelkanaltyp

Typ N

Pinanzahl

3

Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT

1.65V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Gate-Emitter-Spannung max. VGEO

±20 V

Maximale Betriebstemperatur

175°C

Breite

15.9 mm

Normen/Zulassungen

IEC 60068, IEC 60749, IEC 60747

Höhe

5.1mm

Länge

20.1mm

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IGBT mit erweitertem Leistungshalbleiter revolutioniert die Effizienz in verschiedenen Anwendungen mit seinen Hochgeschwindigkeitsfunktionen und seiner niedrigen Sättigungsspannung. Entwickelt mit der renommierten 650-V-TRENCHSTOP-IGBT7-Technologie, zeichnet es sich durch harte Schalttopologien aus, womit es ideal für industrielle USV-Systeme, EV-Ladelösungen und Strangwechselrichter ist. Diese robuste Komponente ist nach strengen Industriestandards qualifiziert und sorgt für Zuverlässigkeit und Langlebigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.

Verwendet Trench-Technologie für Effizienz

Minimiert Schaltverluste für Leistung

Entwickelt für Zuverlässigkeit bei hoher Luftfeuchtigkeit

Glatte Schaltcharakteristik für Präzision

Entwickelt für den vielseitigen Einsatz in der Stromversorgungselektronik

Qualifiziert für industrielle Anwendungen gemäß JEDEC

Unterstützt die Lebensdauer des Geräts mit thermischer Steuerung

Bietet Simulationsfunktionen mit PSpice-Modellen

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