Infineon IGBT / 450 A ±20V max. Dual, 1200 V, 3-Pin AG-62MMHB N-Kanal

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Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
284-960
Herst. Teile-Nr.:
FF450R12KE7HPSA1
Hersteller:
Infineon
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Marke

Infineon

Dauer-Kollektorstrom max.

450 A

Kollektor-Emitter-Spannung

1200 V

Gate-Source Spannung max.

±20V

Anzahl an Transistoren

2

Gehäusegröße

AG-62MMHB

Konfiguration

Einfach-Kollektor, Einfach-Emitter, Einfach-Gate

Montage-Typ

THT

Channel-Typ

N

Pinanzahl

3

Das Infineon IGBT-Modul ist ein 62 mm langes 1200 V, 450 A Dual-Low-Sat und schnelles Trench-IGBT-Modul mit TRENCHSTOP IGBT7 und emittergesteuerter Diode. Vorhandene Gehäuse mit höherer Strombelastbarkeit ermöglichen eine höhere Ausgangsleistung des Wechselrichters bei gleicher Baugröße. Speziell für NPC2-Topologie in 3-Level-Konfiguration.

Höchste Leistungsdichte
Klassenbester VCEsat
Hohe Kriech- und Luftstrecken
Isolierte Grundplatte
Standardgehäuse
RoHS-Konformität
4 kV AC 1 min Isolierung

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