onsemi IGBT / 140 A ±20V max. , 1200 V 1,25 kW, 4-Pin TO-247-4L N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 277-078
- Herst. Teile-Nr.:
- FGY4L140T120SWD
- Hersteller:
- onsemi
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 140 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 1200 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±20V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 1,25 kW | |
| Gehäusegröße | TO-247-4L | |
| Konfiguration | Common Emitter | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 4 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 140 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 1200 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±20V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 1,25 kW | ||
Gehäusegröße TO-247-4L | ||
Konfiguration Common Emitter | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 4 | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der IGBT und die Gen7-Diode von ON Semiconductor in einem TO247-Gehäuse mit 4 Anschlussdrähten bieten eine optimale Leistung mit geringen Schalt- und Leitungsverlusten und ermöglichen einen hocheffizienten Betrieb. Diese Komponenten sind für den Einsatz in verschiedenen Anwendungen wie Solarwechselrichtern, unterbrechungsfreien Stromversorgungen (USV) und Energiespeichersystemen (ESS) konzipiert und bieten ein zuverlässiges und effizientes Energiemanagement in diesen anspruchsvollen Umgebungen.
Hohe Strombelastbarkeit
Reibungsloses und optimiertes Umschalten
Geringer Schaltverlust
RoHS-Konformität
Reibungsloses und optimiertes Umschalten
Geringer Schaltverlust
RoHS-Konformität
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