ROHM IGBT / 20 A, 650 V 136 W, 3-Pin TO-247GE Typ N-Kanal Durchsteckmontage
- RS Best.-Nr.:
- 265-350
- Herst. Teile-Nr.:
- RGW40TS65DGC13
- Hersteller:
- ROHM
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- Herst. Teile-Nr.:
- RGW40TS65DGC13
- Hersteller:
- ROHM
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Produkt Typ | IGBT | |
| Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic | 20A | |
| Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo | 650V | |
| Maximale Verlustleistung Pd | 136W | |
| Gehäusegröße | TO-247GE | |
| Montageart | Durchsteckmontage | |
| Kabelkanaltyp | Typ N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Gate-Emitter-Spannung max. VGEO | ±30 V | |
| Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT | 1.9V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 175°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Produkt Typ IGBT | ||
Maximaler kontinuierlicher Kollektorstrom Ic 20A | ||
Kollektor-Emitter Spannung max. Vceo 650V | ||
Maximale Verlustleistung Pd 136W | ||
Gehäusegröße TO-247GE | ||
Montageart Durchsteckmontage | ||
Kabelkanaltyp Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Gate-Emitter-Spannung max. VGEO ±30 V | ||
Maximale Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung VceSAT 1.9V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 175°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der ROHM IGBT eignet sich für PFC, Solar-Wechselrichter, UPS, Schweißen und IH. Es handelt sich um einen hocheffizienten Serien-IGBT, bei dem das Verhältnis zwischen Leitungsverlust und Schaltgeschwindigkeit optimiert ist. Darüber hinaus konnte durch die Optimierung des internen Designs ein sanftes Schaltverhalten erreicht werden, das das Überschwingen der Spannung verringert. Sie trägt dazu bei, die Anzahl der benötigten Teile und die Konstruktionslast zu reduzieren.
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Hohe Schaltgeschwindigkeit
Geringe Schaltverluste und sanftes Schalten
Eingebauter sehr schneller und sanfter Rückgewinnungsprozess FRD
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