ROHM IGBT / 95 A ±30V max. , 650 V 276 W, 3-Pin TO-247GE N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 265-328
- Herst. Teile-Nr.:
- RGTV00TS65DGC13
- Hersteller:
- ROHM
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 95 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 276 W | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | TO-247GE | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 95 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±30V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 276 W | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße TO-247GE | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der ROHM 650V 50A Field Stop Trench IGBT ist für Hochleistungsanwendungen konzipiert und zeichnet sich durch eine niedrige Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung aus, die den Wirkungsgrad erhöht. Er bietet hohe Schaltgeschwindigkeiten bei geringen Schaltverlusten und ist damit ideal für Anwendungen, die schnelle Übergänge erfordern. Darüber hinaus verfügt dieser IGBT über eine Kurzschlussfestigkeit von 2 Mikrosekunden und bietet damit robusten Schutz und Zuverlässigkeit in anspruchsvollen Umgebungen.
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
Eingebauter sehr schneller und sanfter Rückgewinnungsprozess FRD
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Eingebauter sehr schneller und sanfter Rückgewinnungsprozess FRD
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