ROHM IGBT / 95 A ±30V max. , 650 V 276 W, 3-Pin TO-247GE N-Kanal
- RS Best.-Nr.:
- 265-326
- Herst. Teile-Nr.:
- RGTV00TS65GC13
- Hersteller:
- ROHM
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- RGTV00TS65GC13
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Technische Daten des gezeigten Artikels
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | ROHM | |
| Dauer-Kollektorstrom max. | 95 A | |
| Kollektor-Emitter-Spannung | 650 V | |
| Gate-Source Spannung max. | ±30V | |
| Anzahl an Transistoren | 1 | |
| Verlustleistung max. | 276 W | |
| Konfiguration | Single | |
| Gehäusegröße | TO-247GE | |
| Montage-Typ | THT | |
| Channel-Typ | N | |
| Pinanzahl | 3 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke ROHM | ||
Dauer-Kollektorstrom max. 95 A | ||
Kollektor-Emitter-Spannung 650 V | ||
Gate-Source Spannung max. ±30V | ||
Anzahl an Transistoren 1 | ||
Verlustleistung max. 276 W | ||
Konfiguration Single | ||
Gehäusegröße TO-247GE | ||
Montage-Typ THT | ||
Channel-Typ N | ||
Pinanzahl 3 | ||
Der ROHM IGBT mit niedriger Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung eignet sich für PFC-, Solarinverter-, USV-, Schweiß- und IH-Anwendungen. Der IGBT zeichnet sich durch hohe Schaltgeschwindigkeiten in Kombination mit geringen Schaltverlusten aus und eignet sich daher für einen effizienten Betrieb in verschiedenen Anwendungen. Die Kurzschlussfestigkeit von 2 Mikrosekunden gewährleistet zuverlässige Leistung und Schutz unter Fehlerbedingungen.
Pb-freie Bleibeschichtung
RoHS-Konformität
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