7MBR100U4B-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, M712 24-Pin

  • RS Best.-Nr. 716-5674
  • Herst. Teile-Nr. 7MBR100U4B-120-50
  • Hersteller Fuji Electric
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
RoHS Status: kompatibel (Erklärung anzeigen)
Informationen zur Produktgruppe

IGBT, diskret, Fuji Electric

IGBT, diskrete Bauteile und Module, Fuji Electric

Der Insulated-Gate Bipolar Transistor oder IGBT ist ein Leistungshalbleitergerät mit drei Anschlussklemmen, das für seine hohe Effizienz und schnelle Schaltvorgänge bekannt ist. Der IGBT verbindet die einfache Charakteristik der Gate-Ansteuerung mit der hohen Strom- und niedrigen Sättigungsspannungsfestigkeit von bipolaren Transistoren durch die Kombination eines FET mit isoliertem Gate für den Steuereingang mit einem bipolaren Leistungstransistor als Schalter in einem einzigen Gerät.

Technische Daten des gezeigten Artikels
Eigenschaft Wert
Transistor-Konfiguration 3-phasig
Konfiguration Dreiphasenbrücke
Dauer-Kollektorstrom max. 100 A
Kollektor-Emitter- 1200 V
Gate-Source Spannung max. ±20V
Channel-Typ N
Montage-Typ Leiterplattenmontage
Gehäusegröße M712
Pinanzahl 24
Verlustleistung max. 390 W
Abmessungen 122 x 62 x 17mm
Höhe 17mm
Länge 122mm
Betriebstemperatur max. +150 °C
Breite 62mm
1 lieferbar innerhalb von 2 Werktag(en) (Mo-Fr).
Preis pro 1 Stück
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207,06
(inkl. MwSt.)
Stück
Pro Stück
1 - 4
€ 172,55
5 - 9
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10 - 24
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