Fuji Electric

Halbleiter

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Beschreibung
Produkt-Details
  • € 115,033
    1 Stück (in Box zu 10)
7MBR100U4B-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, M712 24-Pin
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • KonfigurationDreiphasenbrücke
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 172,551 Stück
7MBR100U4B-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, M712 24-Pin
  • KonfigurationDreiphasenbrücke
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 129,851 Stück
IGBT-Treibermodul VLA536-01R CMOS 10 (Alarm) mA 12 → 18V 15-Pin
  • Logik-TypCMOS
  • Ausgangsstrom10 (Alarm) mA
  • Versorgungsspannung12 → 18V
  • Pinanzahl15
  • Montage-TypFrontplattenmontage
Vergleichbare Produkte in "Treiber ICs Universal"
  • € 118,044
    1 Stück (in Box zu 10)
IGBT-Treibermodul VLA536-01R CMOS 10 (Alarm) mA 12 → 18V 15-Pin
  • Logik-TypCMOS
  • Ausgangsstrom10 (Alarm) mA
  • Versorgungsspannung12 → 18V
  • Pinanzahl15
  • Montage-TypFrontplattenmontage
Vergleichbare Produkte in "Treiber ICs Universal"
  • € 155,721 Stück
6MBI100U4B-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, M633 35-Pin
  • KonfigurationDreiphasenbrücke
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 84,883
    1 Stück (in Box zu 10)
2MBI200U4H-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 200 A, M249 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.200 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 31,834
    1 Stück (in Box zu 20)
2MBI100TA-060-50 N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 100 A, M232 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 105,701 Stück
2MBi200U4H-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 200 A, M249 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.200 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 125,05
    1 Stück (in Box zu 10)
6MBI100U4B-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, M633 35-Pin
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • KonfigurationDreiphasenbrücke
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 42,861 Stück
2MBI100TA-060-50 N-Kanal IGBT-Modul, 600 V / 100 A, M232 7-Pin
  • KonfigurationSerie
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-600 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 85,291 Stück
2MBI100U4A-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, M232 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 58,816
    1 Stück (in Box zu 20)
2MBI100U4A-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 100 A, M232 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.100 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 74,617
    1 Stück (in Box zu 20)
2MBI150U4B-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 150 A, M233 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.150 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 5,881
    1 Stück (in Stange zu 30)
N-Kanal IGBT FGW15N120VD, 1200 V 15 A, TO-247 3-Pin Einfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.15 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
  • Verlustleistung max.155 W
  • GehäusegrößeTO-247
Vergleichbare Produkte in "IGBT"
  • € 136,881 Stück
7MBR75U4B-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 75 A, M712 24-Pin
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • KonfigurationDreiphasenbrücke
  • Dauer-Kollektorstrom max.75 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 77,001 Stück
2MBi75VA-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 75 A, M263 7-Pin
  • KonfigurationSerie
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.75 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 74,98
    1 Stück (in Box zu 10)
2MBI75VA-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 75 A, M263 7-Pin
  • Transistor-KonfigurationSerie
  • KonfigurationSerie
  • Dauer-Kollektorstrom max.75 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 126,483
    1 Stück (in Box zu 10)
1MBI600V-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 600 A, M153 4-Pin
  • KonfigurationSingle
  • Transistor-KonfigurationEinfach
  • Dauer-Kollektorstrom max.600 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
  • € 12,676
    1 Stück (in Stange zu 30)
Super J-MOS FMW47N60S1HF N-Kanal MOSFET, 600 V / 47 A, 390 W, TO-247 3-Pin
  • Channel-TypN
  • Dauer-Drainstrom max.47 A
  • Drain-Source-Spannung max.600 V
  • GehäusegrößeTO-247
  • Montage-TypDurchsteckmontage
Vergleichbare Produkte in "MOSFET"
  • € 91,25
    1 Stück (in Box zu 10)
7MBR75U4B-120-50 N-Kanal IGBT-Modul, 1200 V / 75 A, M712 24-Pin
  • Transistor-Konfiguration3-phasig
  • KonfigurationDreiphasenbrücke
  • Dauer-Kollektorstrom max.75 A
  • Kollektor-Emitter-1200 V
  • Gate-Source Spannung max.±20V
Vergleichbare Produkte in "IGBT Module"
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