Skyworks Solutions Inc MOSFET MOSFET 4 A 1 6-Pin SDIP 30 V 8.5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 795-1481
- Herst. Teile-Nr.:
- Si8261BAD-C-IS
- Hersteller:
- Skyworks Solutions Inc
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- RS Best.-Nr.:
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- Herst. Teile-Nr.:
- Si8261BAD-C-IS
- Hersteller:
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Skyworks Solutions Inc | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 4A | |
| Pinanzahl | 6 | |
| Abfallzeit | 8.5ns | |
| Gehäusegröße | SDIP | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 5.5ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 30V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 30V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 4.58mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | Si826x | |
| Höhe | 2.05mm | |
| Breite | 11.5 mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Skyworks Solutions Inc | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 4A | ||
Pinanzahl 6 | ||
Abfallzeit 8.5ns | ||
Gehäusegröße SDIP | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 5.5ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 30V | ||
Maximale Versorgungsspannung 30V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 4.58mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie Si826x | ||
Höhe 2.05mm | ||
Breite 11.5 mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Isolierte Gattertreiber der Serie Si826x, Silicon Laboratories
ISO-Treiber der Serie Si826x von Silicon Labs sind stiftkompatible Upgrades für beliebte Optokoppler mit Gate-Ansteuerung. Diese Geräte sind ideal für die Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs und IGBTs in einer Vielzahl von Wechselrichter- und Motorsteuerungsanwendungen. Die isolierten Gattertreiber der Serie Si826x sind mit der eigenen Silizium-Isolierungstechnologie von Silicon Labs ausgestattet, die bis zu 5,0 kV RMS unterstützt. Diese Technologie ermöglicht höhere Leistung, reduzierte Streuung mit Temperatur und Alterung, höhere Komponentendichte von Teil-zu-Teil und überlegene Gleichtaktunterdrückung im Vergleich zu Opto-Treibern.
MOSFET- und IGBT-Treiber, Silicon Laboratories
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