Microchip MOSFET MOSFET 1.5 A 8-Pin PDIP 30 V 33 ns
- RS Best.-Nr.:
- 264-8895
- Herst. Teile-Nr.:
- TC4431CPA
- Hersteller:
- Microchip
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- TC4431CPA
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- Microchip
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 1.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | PDIP | |
| Abfallzeit | 33ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Minimale Versorgungsspannung | 30V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 30V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 85°C | |
| Serie | TC4431 | |
| Länge | 0.4in | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Breite | 0.325 in | |
| Höhe | 0.21in | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 1.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße PDIP | ||
Abfallzeit 33ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Minimale Versorgungsspannung 30V | ||
Maximale Versorgungsspannung 30V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 85°C | ||
Serie TC4431 | ||
Länge 0.4in | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Breite 0.325 in | ||
Höhe 0.21in | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Microchip-MOSFET-Gate-Treiber ist für den Einsatz in High-Side-Treiberanwendungen geeignet. Sie verriegelt sich unter keinen Bedingungen innerhalb ihrer Nennleistung und Nennspannung. Es kann ohne Schäden oder logische Störungen bis zu 300 mA Rückstrom (einer der beiden Polaritäten) aufnehmen, der in die Ausgänge zurückgeführt wird. Unterspannungssperrschaltung zwingt den Ausgang in einen "niedrigen" Zustand, wenn die Eingangsversorgungsspannung unter 7 V fällt.
Großer Betriebsspannungsbereich von 4,5 V bis 30 V
Hohe kapazitive Lastantriebskapazität: 1000 pF in 25 ns
Kurze Verzögerungszeiten: < 78 ns (typisch)
Niedrige Ausgangsimpedanz: 7 Ω (typisch)
Vollständig gegen bis zu 4 kV elektrostatische Entladung geschützt
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