Renesas Electronics MOSFET MOSFET 2 A 8-Pin SOIC-8 14 V 10 ns
- RS Best.-Nr.:
- 263-6913P
- Herst. Teile-Nr.:
- HIP2100IBZT
- Hersteller:
- Renesas Electronics
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Renesas Electronics | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 2A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC-8 | |
| Abfallzeit | 10ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 20ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 9V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 14V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | HIP2100 | |
| Breite | 3.99 mm | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Länge | 4.98mm | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Renesas Electronics | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 2A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC-8 | ||
Abfallzeit 10ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 20ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 9V | ||
Maximale Versorgungsspannung 14V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie HIP2100 | ||
Breite 3.99 mm | ||
Höhe 1.7mm | ||
Länge 4.98mm | ||
Automobilstandard Nein | ||
- Ursprungsland:
- CN
Der kostengünstige Hochfrequenz-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC von Renesas Electronics. Die Low-Side- und High-Side-Gate-Treiber werden unabhängig gesteuert und auf 8 ns abgestimmt. Dies bietet dem Benutzer maximale Flexibilität bei der Auswahl von Dead-Time- und Treiberprotokoll. Der Unterspannungsschutz an den Low-Side- und High-Side-Versorgungen zwingt die Ausgänge niedrig zu halten.
Schnelle Ausbreitungszeiten für Mehrfach-MHz-Stromkreise
CMOS-Eingangsschwellenwerte für verbesserte Störfestigkeit
Unabhängige Eingänge für Nicht-Halbbrückentopologien
Keine Startprobleme