Infineon Gate-Treiber MOSFET 20 A 25-Pin PQFN 16 V

Die OptiMOS-Leistungsstufe von Infineon ist eine integrierte Leistungsstufe, die einen synchronen Buck-Gate-Treiber-IC mit niedrigem Ruhestrom enthält, der mit Steuerungs- und synchronen MOSFETs zusammen mit einer aktiven Diodenstruktur gepackt ist, die einen niedrigen Vsd ähnlich wie eine Schottky-Leistung mit sehr geringer umgekehrter Erholungsladung erreicht. Das Gehäuse ist optimiert für Leiterplattenlayout, Wärmeübertragung, Treiber-/MOSFET-Steuereinheit und minimales Klingeln von Schaltknoten, wenn die Layoutrichtlinien befolgt werden. Die gepaarte Gate-Treiber- und MOSFET-Kombination ermöglicht einen höheren Wirkungsgrad bei niedrigeren Ausgangsspannungen. Die interne MOSFET-Erfassung erreicht eine überlegene Strommessgenauigkeit im Vergleich zu den besten in der Klasse steuerungsbasierten Induktor-DCR-Erfassungsmethoden.

High-Side-MOSFET mit Kurzschlusserkennung und Flag