Infineon Gate-Treiber-IC Gate-Treiber 2.50 A 16-Pin SOIC 20V 17 ns
- RS Best.-Nr.:
- 258-4006
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2113STRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber-IC | |
| Ausgangsstrom | 2.50A | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Abfallzeit | 17ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | Gate-Treiber | |
| Anstiegszeit | 25ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | IRS | |
| Normen/Zulassungen | RoHS Compliant | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber-IC | ||
Ausgangsstrom 2.50A | ||
Pinanzahl 16 | ||
Abfallzeit 17ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ Gate-Treiber | ||
Anstiegszeit 25ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie IRS | ||
Normen/Zulassungen RoHS Compliant | ||
Automobilstandard Nein | ||
Gate-Treiber-IC der IRS-Serie von Infineon, 2,50 A Ausgangsstrom, 10 bis 20 V Versorgungsspannung – IRS2113STRPBF
Dieser Gate-Treiber-IC ist ein Halbleitergerät, das für die Ansteuerung von Leistungsschaltern in Hochleistungs-Leistungsumwandlungssystemen entwickelt wurde. Er arbeitet mit einer Versorgungsspannung von 10 bis 20 V und liefert einen Spitzenausgangsstrom, der für die Ansteuerung von MOSFET- und IGBT-Gates geeignet ist. Das Gerät wird in einem 16-poligen SOIC-Gehäuse geliefert und ist für industrielle Umgebungen vorgesehen, in denen große Temperaturbereiche erforderlich sind.
Merkmale und Vorteile:
• 2,50 A Ausgangsstrom für effektives Laden und Entladen des Gate
• Anstiegszeit von 25 ns für schnellere Einschaltumschaltungen
• Abfallzeit von 17 ns für reduzierte Schaltverluste
• Betrieb mit einer Versorgungsspannung von 10 bis 20 V für eine flexible Systemintegration
• Betriebsbereich von -40 bis 150 °C für erweiterte thermische Toleranz
• Anstiegszeit von 25 ns für schnellere Einschaltumschaltungen
• Abfallzeit von 17 ns für reduzierte Schaltverluste
• Betrieb mit einer Versorgungsspannung von 10 bis 20 V für eine flexible Systemintegration
• Betriebsbereich von -40 bis 150 °C für erweiterte thermische Toleranz
Anwendungsbereich
• Geeignet für die Ansteuerung von Leistungs-MOSFETs und IGBTs in Wandlern
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Gate-Antriebsstufen
• Wird mit Schaltstufen in Stromversorgungsmodulen verwendet
• Kann zur Gate-Steuerung in Wechselrichtern für erneuerbare Energien verwendet werden
• Ideal für industrielle Motor-Antriebs-Gate-Antriebsstufen
• Wird mit Schaltstufen in Stromversorgungsmodulen verwendet
• Kann zur Gate-Steuerung in Wechselrichtern für erneuerbare Energien verwendet werden
Welches Gehäuseformat wird für die Leiterplattenmontage verwendet?
Er wird in einem 16-poligen SOIC-Gehäuse geliefert, das für das Durchlöten von Leiterplatten geeignet ist.
Welchem Umgebungsbereich kann er standhalten?
Es funktioniert bei Temperaturen von -40 bis 150 °C für raue Bedingungen.
Wie wirkt sich das Gerät auf die Schaltleistung aus?
Die angegebenen Anstiegs- und Abfallzeiten verbessern die Schaltgeschwindigkeit und die Überlappungsbegrenzung.
Gibt es Materialien oder Bestimmungen, die Beschränkungen für gefährliche Stoffe betreffen?
Die Komponente ist RoHS-konform.
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