Infineon Gate-Treiber High-Side 2.3 A 8-Pin SOIC 600 V 20 ns
- RS Best.-Nr.:
- 257-5862
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2181SPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2181SPBF
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 2.3A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 20ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | High-Side | |
| Anstiegszeit | 60ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 600V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Serie | IRS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 2.3A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 20ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ High-Side | ||
Anstiegszeit 60ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 600V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Serie IRS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die High-Side- und Low-Side-Treiber von Infineon sind Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen High-Side- und Low-Side-referenzierten Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und latch-immune CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter zu 3,3 V Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom, die für eine minimale Querleitung der Treiber ausgelegt ist. Der schwimmende Kanal kann zum Antrieb eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die bis zu 600 V betrieben wird.
Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb
Voll funktionsfähig bis +600 V
Tolerant gegenüber negativen transienten Spannungen, dV/dt-immun
Gate-Treiber-Versorgungsbereich von 10 V bis 20 V
Unterspannungs-Lockout für beide Kanäle
Kompatibel mit 33 V und 5 V Eingangslogik
Angepasste Laufzeitverzögerung für beide Kanäle
Logik- und Versorgungsmasse +/- 5 V Offset
Niedrigeres di/dt Gate-Treiber für bessere Rauschimmunität
Ausgangs-Source/Sink-Stromfähigkeit 14 A/18 A
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