Infineon Gate-Treiber High-Side 2.5 A 16-Pin SOIC 20 V 17 ns
- RS Best.-Nr.:
- 257-5592
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2113SPBF
- Hersteller:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 135 - 495 | € 1,944 | € 87,48 |
| 540 - 990 | € 1,897 | € 85,37 |
| 1035 - 1935 | € 1,739 | € 78,26 |
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*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 257-5592
- Herst. Teile-Nr.:
- IRS2113SPBF
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Gate-Treiber | |
| Ausgangsstrom | 2.5A | |
| Pinanzahl | 16 | |
| Abfallzeit | 17ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Treiber-Typ | High-Side | |
| Anstiegszeit | 35ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 10V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 20V | |
| Betriebstemperatur min. | -55°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | IRS2110/IRS2113 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Gate-Treiber | ||
Ausgangsstrom 2.5A | ||
Pinanzahl 16 | ||
Abfallzeit 17ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Treiber-Typ High-Side | ||
Anstiegszeit 35ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 10V | ||
Maximale Versorgungsspannung 20V | ||
Betriebstemperatur min. -55°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie IRS2110/IRS2113 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die High-Side- und Low-Side-Treiber von Infineon sind Hochspannungs- und Hochgeschwindigkeits-Power-MOSFET- und IGBT-Treiber mit unabhängigen High-Side- und Low-Side-referenzierten Ausgangskanälen. Proprietäre HVIC- und latch-immune CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Die Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter zu 3,3 V Logik. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom, die für eine minimale Querleitung der Treiber ausgelegt ist. Die Ausbreitungsverzögerungen sind aufeinander abgestimmt, um den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen zu vereinfachen. Der schwebende Kanal kann zur Ansteuerung eines N-Kanal-Leistungs-MOSFETs oder IGBTs in der High-Side-Konfiguration verwendet werden, die mit bis zu 500 V oder 600 V arbeitet.
Floating-Kanal für Bootstrap-Betrieb
Voll funktionsfähig bis +500 V oder +600 V
Tolerant gegenüber negativer transienter Spannung, dV/dt immun
Gate-Treiber-Versorgungsbereich von 10 V bis 20 V
Unterspannungs-Lockout für beide Kanäle
33-V-Logik-kompatibel
Logik- und Versorgungsmasse ± 5 V Offset
CMOS Schmitt-getriggerte Eingänge mit Pull-down
Zyklusweise flankengetriggerte Shutdown-Logik
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