Renesas Electronics Gate-Ansteuerungsmodul CMOS 9 → 14V dc 8-Pin SOIC 10ns

Der Halbbrücken-Treiber von Renesas ist ein Hochfrequenz-Halbbrücken-N-Kanal-Leistungs-MOSFET-Treiber-IC mit 100 V. Die Low-Side- und High-Side-Gate-Treiber werden unabhängig gesteuert und auf 8 ns abgestimmt. Dies bietet dem Benutzer maximale Flexibilität bei der Auswahl von Dead-Time- und Treiberprotokoll. Der Unterspannungsschutz an den Low-Side- und High-Side-Versorgungen zwingt die Ausgänge niedrig zu halten. Eine integrierte Diode beseitigt die diskrete Diode, die mit anderen Treiber-ICs erforderlich ist. Eine neue Pegel-Schalter-Topologie bietet die geringe Leistungsaufnahme des Impulsbetriebs mit der Sicherheit des DC-Betriebs. Im Gegensatz zu einigen Wettbewerbern kehrt der Hochspannungsausgang nach einer kurzzeitigen Unterspannung der Hochspannungsversorgung in seinen korrekten Zustand zurück.

Treibt N-Kanal-MOSFET-Halbbrücke,
bleifrei (RoHS-konform)
max. Bootstrap-Versorgungsspannung bis 114 V
COn-Chip, 1 Ω Bootstrap-Diode,
schnelle Ausbreitungszeiten für Multi-MHz-Schaltkreise,
treibt 1000 pF Last mit Anstiegs- und Abfallzeiten typisch von 10 ns,
CMOS-Eingangsschwellenwerte für verbesserte Störfestigkeit,
niedriger Stromverbrauch,

großer Versorgungsspannungsbereich, Unterspannungsschutz