Infineon Gate-Ansteuerungsmodul CMOS 500 mA 600V 14-Pin DSO-14 40ns

Der 650-V-Halbbrücken-Gate-Treiber von Infineon mit integrierter Bootstrap-Diode verfügt über die einzigartige Dünnschicht-Silizium-auf-Isolator-Technologie (SOI) von Infineon, die ausgezeichnete Robustheit und Störfestigkeit bietet. Die Schmitt-Triggerlogikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Logik bis zu 3,3 V. Die Ausgangstreiber verfügen über eine Pufferstufe mit hohem Impulsstrom für minimale Treiberkreuzleitungen. Der Schwimmkanal kann verwendet werden, um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET oder IGBT in der Hochspannungsseite-Konfiguration zu betreiben, die bis zu 600 V betrieben wird. Zusätzlich bietet die Offline-Klemmfunktion einen inhärenten Schutz der parasitären Einschaltung durch Schwimmgatterbedingungen, wenn kein IC geliefert wird.

Dünnschicht-SOI-Technologie von Infineon
Voll funktionsfähig bis +600 V
Schwimmender Kanal für Bootstrap-Betrieb
Gate-Antriebsspannungsbereich von 10 V bis 20 V
Unterspannungssperre für beide Kanäle
Eingangslogik für 3,3 V, 5 V und 15 V
RoHS-konform