Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 1 A 11V 11-Pin PG-VSON-10 5.5ns

Der Infineon EiceDRIVER™ 1EDN7113G ist ein Einkanal-Gate-Treiber-IC, der für die Kompatibilität mit CoolGaNTM-HEMTs optimiert ist, und er ist auch kompatibel mit anderen Schottky-Gate-HEMTs (SG) und Silizium-MOSFETs. Dank des wirklich differenziellen Eingangs-Funktion (TDI) wird der Gate-Treiber-Ausgangszustand ausschließlich durch den Spannungsunterschied zwischen den beiden Eingängen gesteuert und völlig unabhängig vom Referenzpotenzial des Treibers (Erdung), solange die Gleichtaktspannung unter 150 V (statisch) und 200 V (dynamisch) liegt. Dies beseitigt das Risiko einer falschen Auslösung durch Erdungsprellen in Low-Side-Anwendungen, während der 1EDN7113G auch High-Side-Anwendungen ansprechen kann.

Vermeiden Sie falsche Auslösung im Low- oder High-Side-Betrieb
Hoher Gleichtakt-Eingangsspannungsbereich für den High-Side-Betrieb
Robuster Betrieb bei schnellen Schalttransienten
Kompatibel mit 3,3-V- oder 5-V-Eingangslogik.
Aktive Miller-Klemme mit 5-A-Sinkfähigkeit, um ein induziertes Einschalten zu vermeiden
Einstellbare Ladepumpe für negative Abschaltungs-Versorgungsspannung
Geeignet für den Antrieb von GaN-HEMTs oder Si-MOSFETs
Qualifiziert gemäß JEDEC für Zielanwendungen