STMicroelectronics MOSFET MOSFET 4 A 8-Pin SO-8 3.1 V 30 ns

Der STMicroelectronics STGAP2SICSN ist ein Einzeltortreiber, der eine galvanische Trennung zwischen dem Gate-Ansteuerkanal und der Niederspannungsregelung und dem Schnittstellenschaltkreis bietet. Der Gate-Treiber zeichnet sich durch eine 4-A-Fähigkeit und Rail-to-Rail-Ausgänge aus, womit das Gerät auch für mittlere und hohe Leistungsanwendungen wie Leistungsumwandlung und Motortreiber-Wechselrichter in industriellen Anwendungen geeignet ist. Das Gerät ist in zwei verschiedenen Konfigurationen erhältlich. Die Konfiguration mit getrennten Ausgangsstiften ermöglicht die unabhängige Optimierung des Ein- und Ausschaltes durch Verwendung dedizierter Gate-Widerstände. Die Konfiguration mit einem Ausgangsstift und der Miller CLAMP-Funktion verhindert Gate-Spitzen bei schnellen Verbindungen in Halbbrücken-Topologien. Beide Konfigurationen bieten eine hohe Flexibilität und Materialreduzierung für externe Komponenten.

Gesamtlaufzeit zwischen Eingang und Ausgang: 75 ns

Das Gerät integriert Schutzfunktionen: UVLO mit optimiertem Wert für SiC-MOSFETs und thermische Abschaltung sind im Lieferumfang enthalten, um Systeme mit hoher Zuverlässigkeit einfach zu entwickeln. Zwei Eingangsstifte ermöglichen die Auswahl der Steuersignalpolarität und implementieren außerdem einen HW-Verriegelungsschutz, um Querleitungen im Falle einer Fehlfunktion des Controllers zu vermeiden. Die Ergebnisse der Eingangs-/Ausgangs-Laufzeitverzögerung sind innerhalb von 75 ns enthalten und bieten eine hohe PWM-Regelgenauigkeit. Ein Standby-Modus ist verfügbar, um den Stromverbrauch im Leerlauf zu reduzieren.