Microchip MOSFET MOSFET 1.2 A 8-Pin DIP 18 V 25 ns
- RS Best.-Nr.:
- 236-8955
- Herst. Teile-Nr.:
- TC1427CPA
- Hersteller:
- Microchip
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- RS Best.-Nr.:
- 236-8955
- Herst. Teile-Nr.:
- TC1427CPA
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- Microchip
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Microchip | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 1.2A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | DIP | |
| Abfallzeit | 25ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 35ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 18V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Betriebstemperatur min. | 0°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 70°C | |
| Serie | TC1427 | |
| Normen/Zulassungen | RoHS | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Microchip | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 1.2A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße DIP | ||
Abfallzeit 25ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 35ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 18V | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Betriebstemperatur min. 0°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 70°C | ||
Serie TC1427 | ||
Normen/Zulassungen RoHS | ||
Automobilstandard Nein | ||
Die zweifachen Hochgeschwindigkeitstreiber Microchip 1.2 A bestehen aus CMOS-Fertigung und werden für niedrigen Energieverbrauch und hohen Wirkungsgrad verwendet. Diese Geräte werden mit einer epitaktischen Schicht hergestellt, um den intrinsischen parasitären Transistor, der für die CMOS-Verriegelung verantwortlich ist, effektiv zu kurzschließen. Sie enthalten eine Reihe anderer Konstruktions- und Prozessverbesserungen, um ihre langfristige Zuverlässigkeit zu erhöhen. Die Spezifikationen wurden optimiert, um kostengünstige und leistungsstarke Geräte zu erreichen, die gut für den Hersteller mit hohem Volumen geeignet sind.
Preiswert
Latch-Up-geschützt hält 500 mA stand
Rückwärtsausgangsstrom
ESD-geschützt ±2 kV
Hoher Peak Ausgangsstrom: 1,2 A
Großer Betriebsbereich
Hohe kapazitive Lastantriebsfähigkeit 1000 pF in 38 n Sek.
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