onsemi MOSFET MOSFET 6.5 A 1 8-Pin SOIC 22 V 13 ns

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RS Best.-Nr.:
233-6841
Herst. Teile-Nr.:
NCV57090FDWR2G
Hersteller:
onsemi
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Marke

onsemi

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

6.5A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

13ns

Treiber-Typ

MOSFET

Anzahl der Ausgänge

5

Anstiegszeit

13ns

Minimale Versorgungsspannung

22V

Maximale Versorgungsspannung

22V

Anzahl der Treiber

1

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

125°C

Breite

6.05 mm

Höhe

2.65mm

Länge

7.6mm

Serie

NCx57090y

Normen/Zulassungen

No

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

AEC-Q100

Der on Semiconductor NCV57090FDWR2G ist ein Hochstrom-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit interner galvanischer Trennung von 5 kV eff, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Die Geräte nehmen komplementäre Eingänge auf und bieten je nach Pinkonfiguration Optionen wie Active Miller Clamp für den Komfort des Systemdesigns. Er verfügt über einen niedrigen Spannungsabfall an der Klemme, der ein negatives Netzteil überflüssig macht, um ein falsches Einschalten des Tores zu verhindern. Der Treiber bietet eine Vielzahl von Eingangsspannungs- und Signalpegeln von 3,3 V bis 20 V und ist in einem SOIC-8-Gehäuse mit breitem Gehäuse erhältlich.

Er hat einen hohen Peak Ausgangsstrom (+6,5 A/-6,5 A)

Es bietet kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Anpassung

Es bietet IGBT/MOSFET-Gate-Klemmung während eines Kurzschlusses

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