onsemi MOSFET MOSFET 6.5 A 1 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- RS Best.-Nr.:
- 233-6802
- Herst. Teile-Nr.:
- NCD57090FDWR2G
- Hersteller:
- onsemi
Zwischensumme (1 Rolle mit 1000 Stück)*
€ 1.368,00
(ohne MwSt.)
€ 1.642,00
(inkl. MwSt.)
Fügen Sie 1000 Stück hinzu, um eine kostenlose Lieferung zu erhalten.
Vorübergehend ausverkauft
- Versand ab 24. August 2026
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 1000 + | € 1,368 | € 1.368,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 233-6802
- Herst. Teile-Nr.:
- NCD57090FDWR2G
- Hersteller:
- onsemi
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | onsemi | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 6.5A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Abfallzeit | 13ns | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Anzahl der Ausgänge | 5 | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Minimale Versorgungsspannung | 22V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 22V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Breite | 4 mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Länge | 5mm | |
| Serie | NCD57090 | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke onsemi | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 6.5A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Abfallzeit 13ns | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Anzahl der Ausgänge 5 | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Minimale Versorgungsspannung 22V | ||
Maximale Versorgungsspannung 22V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Breite 4 mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Länge 5mm | ||
Serie NCD57090 | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der on Semiconductor NCD57090FDWR2G ist ein Hochstrom-IGBT/MOSFET-Gate-Treiber mit interner galvanischer Trennung von 5 kV eff, entwickelt für hohe Systemeffizienz und Zuverlässigkeit in Hochleistungsanwendungen. Die Geräte nehmen komplementäre Eingänge auf und bieten je nach Pinkonfiguration Optionen wie Active Miller Clamp für den Komfort des Systemdesigns. Er verfügt über einen niedrigen Spannungsabfall an der Klemme, der ein negatives Netzteil überflüssig macht, um ein falsches Einschalten des Tores zu verhindern. Der Treiber bietet eine Vielzahl von Eingangsspannungs- und Signalpegeln von 3,3 V bis 20 V und ist in einem SOIC-8-Gehäuse mit breitem Gehäuse erhältlich.
Er hat einen hohen Peak Ausgangsstrom (+6,5 A/-6,5 A)
Es bietet kurze Ausbreitungsverzögerungen mit genauer Anpassung
Es bietet IGBT/MOSFET-Gate-Klemmung während eines Kurzschlusses
Verwandte Links
- onsemi MOSFET MOSFET 6.5 A 1 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- onsemi MOSFET MOSFET 6.5 A 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- onsemi MOSFET MOSFET 6.5 A SOIC 22 V 13 ns
- onsemi MOSFET MOSFET 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- onsemi IGBT-Modul IGBT 6.5 A 1 8-Pin SOIC 22 V 13 ns
- onsemi MOSFET MOSFET 6.5 μA 16-Pin SOIC 22 V 10 ns
- Microchip MOSFET MOSFET 1.5 A 2 8-Pin SOIC 22 V 30 ns