STMicroelectronics Gate-Treiber-Modul 2 31-Pin QFN

Alle Gate-Treiber anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 2 Stück)*

€ 25,52

(ohne MwSt.)

€ 30,62

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Lagerbestand aktuell unbekannt - Bitte versuchen Sie es später noch einmal

Stück
Pro Stück
Pro Packung*
2 - 8€ 12,76€ 25,52
10 - 98€ 12,515€ 25,03
100 - 248€ 12,245€ 24,49
250 - 498€ 12,01€ 24,02
500 +€ 11,78€ 23,56

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
233-0469
Herst. Teile-Nr.:
MASTERGAN5TR
Hersteller:
STMicroelectronics
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

STMicroelectronics

Produkt Typ

Gate-Treiber-Modul

Pinanzahl

31

Gehäusegröße

QFN

Anzahl der Treiber

2

Der MASTERGAN5TR von STMicroelectronics ist ein 600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte und zwei GaN-Leistungs-HEMTs im Verstärkungsmodus. Der MASTERGAN5 ist ein erweitertes Power-System-In-Paket, das einen Gate-Treiber und zwei Enhancement-Modus-GaN-Leistungs-Transistoren in einer Halbbrückenkonfiguration integriert. Die integrierten Power GaNs haben eine 650 V Drain-Source-Sperrspannung und einen RDS(ON) von 450 mΩ, während die hohe Seite des integrierten Gate-Treibers von der integrierten Bootstrap-Diode leicht versorgt werden kann. Es handelt sich um einen 600-V-Halbbrückentreiber mit hoher Leistungsdichte mit zwei GaN-Leistungs-HEMTs im Verstärkungsmodus.

Umkehrstrom-Fähigkeit

Kein Verlust bei umgekehrter Wiederherstellung

UVLO-Schutz auf der Tief- und Hochseite

Interne Bootstrap-Diode

Funktion der Verriegelung

Präzises internes Timing

3,3 V bis 15 V kompatible Eingänge mit Hysterese und Pull-Down

Verwandte Links