Infineon Universaltreiber Universal 20 A 1 20-Pin DSO 5.5 V 45 ns
- RS Best.-Nr.:
- 232-3032
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EDI3030ASXUMA1
- Hersteller:
- Infineon
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Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | Universaltreiber | |
| Ausgangsstrom | 20A | |
| Pinanzahl | 20 | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Abfallzeit | 45ns | |
| Treiber-Typ | Universal | |
| Anzahl der Ausgänge | 4 | |
| Anstiegszeit | 55ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 5.5V | |
| Anzahl der Treiber | 1 | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 150°C | |
| Serie | 1EDI3030AS | |
| Höhe | 2.65mm | |
| Länge | 7.5mm | |
| Breite | 6.4 mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ Universaltreiber | ||
Ausgangsstrom 20A | ||
Pinanzahl 20 | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Abfallzeit 45ns | ||
Treiber-Typ Universal | ||
Anzahl der Ausgänge 4 | ||
Anstiegszeit 55ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Maximale Versorgungsspannung 5.5V | ||
Anzahl der Treiber 1 | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 150°C | ||
Serie 1EDI3030AS | ||
Höhe 2.65mm | ||
Länge 7.5mm | ||
Breite 6.4 mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der Infineon verfügt über einen für die Automobilindustrie qualifizierten Einkanal-Hochspannungstortreiber, der für SiC MOSFET optimiert ist. Der 1DI3030AS verwendet eine robuste Infineon-Corteless Transformatortechnologie, um eine bidirektionale Signalübertragung über die galvanische Trennbarriere zu ermöglichen. Das kompakte Gehäusedesign und die hohe Funktionsintegration sparen wertvollen Platz auf der Leiterplatte und Systemkosten, während vorkonfigurierte Einstellungen den Designaufwand reduzieren.
Für SiC-MOSFETs bis 1200 V
Laufzeit: 60 ns (typisch)
Redundanter DESAT- und OCP-Schutz
Gate- und Ausgangsstufenüberwachung
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