Infineon MOSFET MOSFET 14-Pin DSO 28 V 90 ns
- RS Best.-Nr.:
- 229-1711
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EBN1001AEXUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Zwischensumme (1 Rolle mit 2500 Stück)*
€ 3.265,00
(ohne MwSt.)
€ 3.917,50
(inkl. MwSt.)
VERSANDKOSTENFREIE Lieferung für Bestellungen ab € 100,00
Auf Lager
- 5 000 Einheit(en) versandfertig von einem anderen Standort
Sie benötigen mehr? Benötigte Menge eingeben und auf „Lieferverfügbarkeit überprüfen“ klicken.
Stück | Pro Stück | Pro Rolle* |
|---|---|---|
| 2500 + | € 1,306 | € 3.265,00 |
*Richtpreis
- RS Best.-Nr.:
- 229-1711
- Herst. Teile-Nr.:
- 1EBN1001AEXUMA1
- Hersteller:
- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Pinanzahl | 14 | |
| Gehäusegröße | DSO | |
| Abfallzeit | 90ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anzahl der Ausgänge | 2 | |
| Anstiegszeit | 50ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 28V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 28V | |
| Betriebstemperatur min. | -40°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Höhe | 1.7mm | |
| Serie | 1EBN1001AE | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Länge | 8.65mm | |
| Breite | 2.65 mm | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | AEC-Q100 | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Pinanzahl 14 | ||
Gehäusegröße DSO | ||
Abfallzeit 90ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anzahl der Ausgänge 2 | ||
Anstiegszeit 50ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 28V | ||
Maximale Versorgungsspannung 28V | ||
Betriebstemperatur min. -40°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Höhe 1.7mm | ||
Serie 1EBN1001AE | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Länge 8.65mm | ||
Breite 2.65 mm | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard AEC-Q100 | ||
Der isolierte Einkanal-Verstärker von Infineon für Kfz-Anwendungen. Es handelt sich um einen IGBT- oder MOSFET-Gate-Treiberverstärker für Kfz-Motorantriebe über 10 kW. Aufgrund seines thermisch optimierten freiliegenden Polstergehäuses kann er Peak Ströme bis zu 15 A ansteuern und senken Es ist für Systeme bis ASIL D-Anforderungen geeignet.
Es ist AEC-Q100-zertifiziert
Es spart erhebliche Leiterplattenfläche
IT-Unterstützung für aktive Kurzschlussstrategien
Verwandte Links
- Infineon 1EBN1001AEXUMA1 MOSFET MOSFET 14-Pin DSO 28 V 90 ns
- STMicroelectronics TD350E MOSFET MOSFET 1.5 A 2 14-Pin SOIC 28 V 90 ns
- STMicroelectronics MOSFET MOSFET 1.5 A 2 14-Pin SOIC 28 V 90 ns
- Infineon MOSFET MOSFET 2.3 A 2 14-Pin DSO 17.5 V 60 ns
- Infineon MOSFET MOSFET 1.8 A 2 14-Pin DSO 17.5 V 60 ns
- STMicroelectronics MOSFET MOSFET 10 mA 1 14-Pin SO-16 26 V 90 ns
- Infineon MOSFET MOSFET 14 A 2 8-Pin DSO 15 V 30 ns
- Infineon MOSFET MOSFET 2.4 A 1 16-Pin DSO 28 V 600 ns
