Infineon MOSFET-Gate-Ansteuerung 290 mA 20V 8-Pin SOIC 65ns

Der Infineon IRS2118 ist ein Hochgeschwindigkeits-MOSFET und IGBT-Treiber für Hochspannung und hohe Geschwindigkeit. Proprietäre HVIC- und Latch-immune CMOS-Technologien ermöglichen eine robuste monolithische Konstruktion. Der Logikeingang ist kompatibel mit Standard-CMOS-Ausgängen. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Querleitung ausgelegt ist. Der potenzialfreie Kanal kann verwendet werden, um einen N-Kanal-Leistungs-MOSFET oder IGBT in der Hoch- oder Niederspannungsseiten-Konfiguration anzutreiben, die bis zu 600 V arbeitet

Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 V bis 20 V.
Unterspannungsschutz
CMOS-Schmitt-Trigger-Eingänge mit Pull-Down
Ausgang in Phase mit Eingang