Infineon MOSFET MOSFET 1 A 8-Pin SOIC 20 V 35 ns

Alle Gate-Treiber anzeigen
Mengenrabatt verfügbar

Zwischensumme (1 Packung mit 5 Stück)*

€ 4,78

(ohne MwSt.)

€ 5,735

(inkl. MwSt.)

Add to Basket
Menge auswählen oder eingeben
Bestandsabfrage aktuell nicht möglich
Stück
Pro Stück
Pro Packung*
5 - 20€ 0,956€ 4,78
25 - 45€ 0,85€ 4,25
50 - 120€ 0,792€ 3,96
125 - 245€ 0,734€ 3,67
250 +€ 0,68€ 3,40

*Richtpreis

Verpackungsoptionen:
RS Best.-Nr.:
226-6177
Herst. Teile-Nr.:
IRS2011STRPBF
Hersteller:
Infineon
Finden Sie ähnliche Produkte, indem Sie ein oder mehrere Eigenschaften auswählen.
Alle auswählen

Marke

Infineon

Produkt Typ

MOSFET

Ausgangsstrom

1A

Pinanzahl

8

Gehäusegröße

SOIC

Abfallzeit

35ns

Anzahl der Ausgänge

2

Treiber-Typ

MOSFET

Anstiegszeit

40ns

Minimale Versorgungsspannung

20V

Maximale Versorgungsspannung

20V

Betriebstemperatur min.

-40°C

Maximale Betriebstemperatur

150°C

Normen/Zulassungen

JEDEC JESD 47

Höhe

1.75mm

Breite

4 mm

Länge

5mm

Serie

IRS2011

Montageart

Oberfläche

Automobilstandard

Nein

Der Infineon IRS2011 ist ein Hochleistungs-MOSFET-Treiber mit hohem und niedrigem Ausgangskanal mit Referenz auf der Seite. Logikeingänge sind kompatibel mit Standard-CMOS- oder LSTTL-Ausgang, bis hinunter auf 3,3-V-Logik. Der Ausgangstreiber verfügt über eine hohe Impulsstrom-Pufferstufe, die für minimale Treiber-Querleitung ausgelegt ist. Ausbreitungsverzögerungen werden angepasst, um den Einsatz in Hochfrequenzanwendungen zu vereinfachen.

Veränderlicher Kanal für Bootstrap-Betrieb

Voll funktionsfähig bis 200 V

Tolerant gegenüber negativer Einschwingspannung, dV/dt-immun

Gate-Ansteuerungs-Versorgungsspannungsbereich von 10 bis 20 V.

Unabhängiger, niedriger und hoher Seitenkanal

Verwandte Links