Infineon MOSFET MOSFET 4 A 8-Pin SOIC 18V 4.5 ns
- RS Best.-Nr.:
- 222-4944
- Herst. Teile-Nr.:
- IR11662STRPBF
- Hersteller:
- Infineon
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- Infineon
Technische Daten des gezeigten Artikels
Datenblätter und Anleitungen
Rechtliche Anforderungen
Informationen zur Produktgruppe
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Alle auswählen | Eigenschaft | Wert |
|---|---|---|
| Marke | Infineon | |
| Produkt Typ | MOSFET | |
| Ausgangsstrom | 4A | |
| Pinanzahl | 8 | |
| Gehäusegröße | SOIC | |
| Abfallzeit | 4.5ns | |
| Treiber-Typ | MOSFET | |
| Anstiegszeit | 181ns | |
| Minimale Versorgungsspannung | 20V | |
| Maximale Versorgungsspannung | 18V | |
| Betriebstemperatur min. | -25°C | |
| Maximale Betriebstemperatur | 125°C | |
| Länge | 5mm | |
| Höhe | 1.75mm | |
| Normen/Zulassungen | No | |
| Serie | IR11662S | |
| Montageart | Oberfläche | |
| Automobilstandard | Nein | |
| Alle auswählen | ||
|---|---|---|
Marke Infineon | ||
Produkt Typ MOSFET | ||
Ausgangsstrom 4A | ||
Pinanzahl 8 | ||
Gehäusegröße SOIC | ||
Abfallzeit 4.5ns | ||
Treiber-Typ MOSFET | ||
Anstiegszeit 181ns | ||
Minimale Versorgungsspannung 20V | ||
Maximale Versorgungsspannung 18V | ||
Betriebstemperatur min. -25°C | ||
Maximale Betriebstemperatur 125°C | ||
Länge 5mm | ||
Höhe 1.75mm | ||
Normen/Zulassungen No | ||
Serie IR11662S | ||
Montageart Oberfläche | ||
Automobilstandard Nein | ||
Der Infineon 200V-sekundärseitige Hochgeschwindigkeits-SR-Controller in einem 8-adrigen SOIC-Gehäuse.
Sekundärseitiger Hochgeschwindigkeits-SR-Controller
DCM-, CrCM-Flyback- und Resonanz-Halbbrücken-Topologien
Proprietäre 200-V-IC-Technologie
Max. 500 kHz Schaltfrequenz
Anti-Prellen-Logik und UVLO-Schutz
4 A Peak Ausschaltstrom
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